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Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
3.0
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
*Notes:
1. V GS = 0V
0.5
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-75
2. I D = 250 μ A
-25 25 75 125 175
o
0.0
-75
2. I D = 14A
-25 25 75 125
o
175
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
300
28
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
100
100 μ s
60 μ s
24
1ms
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
10
1
0.1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10ms
DC
*Notes:
o
o
20
16
12
8
4
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
1
0.5
0.1
0.2
0.1
P DM
0.01
0.05
0.02
*Notes:
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 0.4 C/W Max.
0.01
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
1E-3
10
10
10
10
10
1
Single pulse
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1
10
, 1
t Rectangular Pulse Duration [sec]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA28N50F Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
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